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三星3纳米芯片最早从2024年开始大量供应,成本如何?

 

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在3nm芯片制程中,台积电和三星是唯一的“种子选手”。

由于在4/5nm制程上的良品率和性能不佳,三星失去了高通等大客户的旗舰SoC订单苹果芯片是哪家公司制造的,因此力图在3nm芯片上取得领先。今年6月,三星率先宣布量产3nm芯片,但一直传闻良品率偏低。除了一家做矿机芯片的中国公司试水外,半导体大厂还在观望。

近日,有媒体援引知情人士透露,三星正与5-6家无晶圆厂供应商客户共同开发先进芯片,最早将于2024年开始量产。据悉,三星将为此类客户量产3nm芯片。英伟达、高通、IBM 和百度。不过,相对于台积电大概率在2023年使用3纳米工艺制造苹果15系列上的A17芯片,三星的3纳米芯片似乎还相对落后。那么,三星3nm芯片的真实良品率是多少呢?成本是多少?

3nm芯片进展如何?

从一些公开信息来看,三星似乎在3nm工艺节点上领先了一步,但实际生产良率也不尽如人意。

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据悉,三星电子3nm芯片的第一个客户是来自中国的一家半导体公司(磐石半导体),据称是一家专门生产比特币矿机芯片的公司。

三星电子将采用GAA先进技术和工艺量产3nm芯片。它是第一家实施GAA技术的代工公司。与目前的主流技术相比,GAA先进技术可以实现更小的尺寸和更低的功耗。不过,有消息称,三星3nm先进制程的良率还不足以满足“量产”的要求,更像是试运行而非全面量产。除此之外,长期以来一直没有其他明确的企业订单。

此次,三星将采用3nm技术为英伟达生产图形处理单元(GPU)、为IBM生产中央处理器(CPU)、为高通生产智能手机应用处理器、为百度云数据中心生产人工智能芯片。

在未来的技术路线发展方面,三星电子计划在2024年推出第二代3nm制程工艺的半导体芯片(SF3)。三星电子表示其第二代3nm芯片的晶体管体积将比第一代3nm芯片小20% ,这将为智能手机、个人电脑、云服务器和可穿戴设备带来更小、更节能的芯片。

由此可见,虽然三星率先宣布3nm技术“量产”,但其代工计划明显落后于台积电。

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值得一提的是,三星还计划积极争夺美国的代工市场。除了德克萨斯州奥斯汀的工厂外,还计划在附近的泰勒市建设新工厂,为最新的3nm制程技术提供晶圆代工量产资源,预计2024年投产。三星计划到 2027 年将产能提高两倍以上的计划的一部分。

同时,三星也有意建设新工厂,以获得美国《芯片法案》超过520亿美元补贴的政策补贴。同时在一定程度上也支持国内客户在美国的芯片代工,满足分散货源的供应链安全。要求。

三星3nm GAA工艺良品率仅20%!

三星表示,与原来的5nm工艺相比,第一代3nm GAA工艺节点在功耗、性能和面积(PPA)方面都有不同程度的提升,面积减少16%,性能提升23% . 减少 45%。到第二代3nm芯片时,面积缩小了35%,性能提升了30%,功耗降低了50%。

不过据ctee报道,与之前的4/5nm制程一样,三星在3nm GAA制程的量产上也遭遇挫折,良品率只有20%!

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如果3nm工艺良率低的问题得不到解决,那么三星将失去与对手台积电的竞争力,或将再次坐视台积电垄断3nm。

据外媒报道,为了克服生产过程中遇到的诸多障碍,三星选择与一家美国公司合作,协助其提高3nm GAA工艺的良品率。

根据官网信息,该公司位于加利福尼亚州圣何塞,为版图后验证提供有保证的准确和有保证的快速电阻、电容、ESD和热分析。其产品已被超过 70 家客户使用,其中包括全球排名前 25 位的半导体供应商中的 12 家,获得领先代工厂的认可和使用,并用于 500 多项设计中。此外,客户已使用我们的技术解决 10nm、14nm、28nm、40nm、ADC、敏感模拟电路、图像传感器、存储器、定制数字设计和功率器件的问题。

据悉,静电放电是晶圆生产过程中产生缺陷的主要原因,也是三星3nm GAA工艺良率低的重要原因之一。该公司已使用水质和静电放电 (ESD) 预防技术来减少生产过程中的缺陷,以提高晶圆生产良率。

尽管三星声称通过整合其合作伙伴使用的技术取得了积极成果,但实际结果仍需在未来几个月内观察。

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不过,也正是三星在此前4/5nm芯片上的表现,让更多客户转向了台积电。比如近期台积电取代三星成功拿下特斯拉辅助驾驶芯片的大单。此前,特斯拉的主要订单集中在三星。例如苹果芯片是哪家公司制造的,特斯拉上一代辅助驾驶芯片所采用的14nm工艺,主要由三星打造。如果三星不能尽快在3nm芯片上有所建树,那么它的损失将更大,这也将是其最严峻的考验。

三星的3nm代工成本是多少?

除了技术进步和代工计划外,3nm技术代工成本也是很多企业关注的焦点。

从公开的性能指标来看,三星的3nm芯片还不错,但如果良品率低,就无法量产,晶圆代工成本必然会提高。

毫无疑问,更先进的工艺意味着更高的成本。11月22日消息,台积电采用3nm制程的12英寸晶圆单价已突破2万美元,是7nm制程的两倍,比5nm制程高出25%。

今年2月曾有传言称,三星4nm工艺的良品率仅为35%,这意味着从晶圆上切割下来的芯片die只有35%能够通过品控。相比之下,台积电4nm工艺的良品率可以达到70%。也就是说,在所有条件相同的情况下,台积电同时生产的芯片数量是三星的两倍。

目前,三星3nm工艺的代工价格暂无相关信息。如果按照台积电与三星在4nm工艺上的2倍良率差距来计算,三星3nm芯片的成本将翻倍至4万美元!在如此高的成本压力下,三星的3nm芯片将没有竞争力。

目前,在晶圆代工业务方面,三星的市场份额远远落后于占据全球50%以上市场份额的台积电。不过,未来三星在3nm技术上并没有更多的机会。如果其3nm工艺计划能够如期完成,将吸引更多潜在客户。在供应商手中,三星也将在这些企业分散供应链风险、降低代工成本的诉求下获得更多机会。

在3nm及以下的芯片技术方面,三星电子雄心勃勃。10月3日,三星电子在旧金山首次公开了未来的技术路线图。计划2023年推出第二代3nm工艺。推出1.4nm工艺。但如果三星不能在良率和成本上取得更大的突破,只是在目标计划上做一些激进的计划,尤其是不能将对先进芯片技术的投入转化为真正的现金流,那就跟着台积电“陪跑”不能走得太远。

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